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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3129
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
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