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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3615
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
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