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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3061
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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