RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3706
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link