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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
37
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2760
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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