RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3079
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link