RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3313
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link