RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3300
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link