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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3690
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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