RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3711
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link