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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
37
Por volta de -95% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
19
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
18.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3905
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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