RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3142
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link