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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3803
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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