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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3576
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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