RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2764
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link