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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
44
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
44
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2452
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Kingston 9965669-027.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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