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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
37
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2457
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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