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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
49
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
49
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2374
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-102.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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