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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
37
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2474
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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