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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3119
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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