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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2422
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
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