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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2873
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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