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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3256
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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