RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
85
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
85
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1838
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link