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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
37
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2790
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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