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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
37
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2853
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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