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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
2384
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM3X2GSD1066 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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