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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
41
Por volta de -95% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
3168
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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