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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.2
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
18.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
3890
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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