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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.6
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2409
1847
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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