RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
15.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3583
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link