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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
94
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
94
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
1699
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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