RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2445
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link