RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2847
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link