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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2984
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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