RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3079
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link