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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
35
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3227
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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