RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3547
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link