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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
16
35
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.3
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
21.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
16
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
22.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
21.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3952
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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