RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3208
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link