RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
73
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
73
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
1853
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link