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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2339
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
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