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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
36
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2227
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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