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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
35
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
32
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3070
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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