RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
68
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
14.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
68
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
1812
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link