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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
42
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2551
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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