RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
15.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1770
3866
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link