RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
66
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
66
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
1912
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link