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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
56
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3132
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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