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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
56
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3273
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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